Занимая второе место в мировом рейтинге производителей памяти в целом, южнокорейская SK hynix остаётся крупнейшим поставщиком востребованных ускорителями вычислений микросхем памяти типа HBM. Благоприятная конъюнктура позволила компании по итогам третьего квартала обновить рекорды как по выручке, так и по прибыли.

Бум ИИ помог SK hynix почти удвоить квартальную прибыль

Выручка SK hynix в третьем квартале выросла в годовом сравнении на 94 % до $12,7 млрд в пересчёте по курсу, а операционная прибыль превзошла ожидания аналитиков, достигнув уровня в $5,08 млрд против убытков в размере $1,3 млрд годом ранее. Помимо поставок HBM, компания выигрывает на фоне бума систем искусственного интеллекта за счёт поставок твердотельных накопителей в серверном сегменте. В минувшем квартале серверное направление обеспечило более 60 % выручки в сегменте NAND.

В натуральном выражении объёмы поставок микросхем семейства HBM выросли более чем на 70 % последовательно и более чем в три раза по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. Даже после такого бурного роста SK hynix не стесняется заявить, что рассчитывает на сохранение тенденции и в следующем году. Сегменты DRAM и NAND в следующем году вырастут на 15–19 % в денежном выражении, как считают представители производителя.

Кроме того, спрос на память в сегменте ПК и смартфонов тоже начнёт расти, поскольку потребители начнут интересоваться новыми моделями устройств с функциями локального ускорения работы систем искусственного интеллекта. Представители компании считают, что отрасль по производству памяти почти миновала кризисную фазу и теперь готова к восстановлению спроса. В текущем квартале SK hynix начнёт поставлять 12-ярусные стеки памяти типа HBM3E. В ближайшей перспективе это поможет ей увеличить долю доходов от реализации HBM с 30 до 40 % совокупной выручки. К поставкам микросхем HBM4 компания намеревается приступить во второй половине следующего года. Руководство SK hynix убеждено, что о снижении спроса на HBM в сегменте ИИ говорить преждевременно.

От admin

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *