Бельгийский исследовательский центр Imec сотрудничает с мировыми лидерами в сфере литографии, а потому его руководство может представлять путь развития всей полупроводниковой отрасли на несколько лет вперёд. По его мнению, к 2037 году производители чипов смогут освоить техпроцесс A2, а тремя годами позже удастся преодолеть барьер в 0,1 нм.
Если исходить из принятых TSMC обозначений, техпроцесс A2 соответствует литографическим нормам 0,2 нм или 20 ангстремов. Таким образом, в 2040 году полупроводниковая отрасль может преодолеть барьер в 10 ангстремов, если предсказания главы Imec Люка ван ден Хова (Luc Van den hove) оправдаются. Свои заявления он сделал на технологическом форуме в Тайване, работу которого широко освещали местные СМИ.
В следующем году полупроводниковая отрасль приступит к производству 2-нм чипов, причём в рамках этого техпроцесса произойдёт смена структуры транзисторов с FinFET на Nanosheet, а в 2027 году после перехода на техпроцесс A7 будет внедрена структура транзисторов CFET. По мнению представителя Imec, выпуск чипов по технологии A14 будет подразумевать обязательный переход на использование оборудования с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV), а потому для TSMC такая миграция становится почти предопределённой. Напомним, что крупнейший в мире контрактный производитель чипов неоднократно заявлял об отсутствии намерений использовать такое оборудование при выпуске продукции по технологии A16. Её тайваньский гигант собирается освоить со второй половины 2026 года.